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東芝宣佈興建3D NAND Flash廠房 2015年度量產
May 14th 2014, 07:09

精實新聞 2014-05-14 13:55:00 記者 蔡承啟 報導20140514_115_0.jpg 全球第2大NAND型快閃記憶體(NAND Flash)

精實新聞 2014-05-14 記者 蔡承啟 報導

全球第2大NAND型快閃記憶體(NAND Flash)廠商東芝(Toshiba)14日發布新聞稿宣布,將對四日市工廠第2廠房進行改建措施,並計劃導入生產3D結構NAND Flash的生產設備,目標為在2015年度下半年期間(2015年10月-2016年3月)開始生產3D NAND Flash。東芝指出,四日市工廠第2廠房將自本月(5月)起進行拆除作業、並將於9月進行廠房改建措施,預估將在2015年夏天完工。

東芝指出,已和合作夥伴美國SanDish簽署了設備投資備忘錄,東芝將負責舊廠房拆解及新廠房的興建,之後雙方並將共同進行生產設備的導入作業,惟關於具體的設備導入時間、開始生產時間,以及產能、生產計劃等細節,將待後續依據市場動向來作決定。

據日經指出,上述改建費用預估將達約400億日圓,且預估東芝/SanDisk自2015年度起的3-4年內的投資規模最高將達5,000億日圓(費用由東芝、SanDisk折半負擔),目標為在5年內研發出容量可達現行產品16倍、達1TB的NAND Flash產品。

因半導體細微化正面臨技術性的瓶頸,故全球NAND Flash龍頭廠南韓三星電子(Samsung Electronics)已於2013年8月開始生產採用3D結構的NAND Flash產品。

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