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甩開英特爾 台積明年Q1建10奈米試產線
Aug 25th 2014, 00:19

業界傳出,台積電除加速南科廠16奈米產能布建,也決定在明年第1季於中科建置10奈米試產線,透露台積電將以中科作為10奈米生產重鎮,並加快試產腳步,拉開與英特爾、三星等勁敵的差距。

台積電並未對相關傳聞置評。設備商透露,受制於設備大廠艾斯摩爾(ASML)極紫外光(EUV)技術輸出率仍未達量產需求,台積電10奈米仍會以浸潤式機台進行多重曝光方式,作為顯影核心設備,並集中於12吋晶圓廠生產。

10奈米製程被台積電視為「最關鍵的一役」,台積電董事長張忠謀稍早透露,台積電短期恐在16奈米市占略為落後輸競爭對手,不過,台積電有信心很快搶回市占率,並積極導入10奈米等更先進的製程,預定明年下半年完成產品設計定案。

張忠謀當時說,台積電2013年開始進行10奈米技術開發,10奈米技術將是繼16奈米FinFET(鰭式場效電晶體)及強效版製程16 FinFET+之後的第三代FinFET製程,效能與密度將是業界第一。

台積電對內宣示,10奈米是「非贏不可的一戰」,一定要做到比英特爾好,因此由張忠謀親自督軍,並號名近400 位研發人員成立「夜鷹計畫」,讓10奈米研發無縫接軌、縮短學習曲線。

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